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Mikroelektronische Speicher

Speicherzellen, Schaltkreise, Systeme
Springer Verlag GmbH
ISBN/EAN: 9783211823545
Umbreit-Nr.: 5720881

Sprache: Deutsch
Umfang: xii, 274 S.
Format in cm:
Einband: kartoniertes Buch

Erschienen am 30.03.1992
Auflage: 1/1992
€ 54,99
(inklusive MwSt.)
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  • Zusatztext
    • In diesem Buch werden erstmals alle Gesichtspunkte der Halbleiterspeicher von den einzelnen Zellen bis zum Speichersystem einheitlich dargestellt. Es enthält sowohl für den Schaltkreisentwerfer als auch für den Computertechniker Informationen, die sonst nur verstreut in der Zeitschriftenliteratur zu finden sind. Das Buch behandelt den gesamten Komplex der mikroelektronischen Digitalspeicher für die Computertechnik. In den Hauptkapiteln über den Aufbau und die Funktion der Speicherschaltkreise (SRAM, DRAM, ROM, PROM, EPROM, EEPROM) werden die Speicherzellen, die Speichermatrizen, die internen Ansteuerschaltungen sowie externe Steuerung der Speicheroperationen behandelt. Die übrigen Hauptkapitel sind der technischen Realisierung und dem Entwurf von Speicherbaugruppen und Speichern gewidmet, wobei den Fragen der Stromversorgung und Betriebsstromzuführung, der elektrischen und geometrischen Gestaltung der Ansteuerschaltungen, der Worterweiterung, des Refresh (bei DRAM) sowie der Datensicherung und Zuverlässigkeit der Speicher besondere Aufmerksamkeit gewidmet wird. Das Buch ist als Nachschlagewerk und Vertiefungslektüre für Hochschuldozenten und Praktiker, aber auch als Lehrbuch für Studierende an Universitäten, Hochschulen und Fachhochschulen bzw. HTL geeignet.
  • Autorenportrait
    • Inhaltsangabe1 Einleitung.- 2 Übersicht über die mikroelektronischen Speicherschaltkreise.- 2.1 Definitionen und Typen.- 2.1.1 Selektionsprinzip.- 2.1.2 Art des Zugriffs.- 2.1.3 Lese- und Schreibzugriff.- 2.1.4 Informationsverhalten bei Netzausfall und beim Lesen.- 2.1.5 Technologien für Speicherschaltkreise.- 2.2 Speicherschaltkreise.- 2.2.1 Innere Struktur der Speicherschaltkreise.- 2.2.2 Speicherkapazität.- 2.2.3 Speicherzellen und ausgenutzte physikalische Prinzipien.- 2.2.4 Forderungen an Speicherschaltkreise.- 2.3 Trends bei Speicherschaltkreisen.- 2.4 Anwendungen mikroelektronischer Speicher.- 3 Schaltungstechnische Grundlagen.- 3.1 MOS-Schaltungstechnik.- 3.1.1 MOS-Transistoren.- 3.1.2 MOS-Inverter.- 3.1.2.1 Statischer MOS-Inverter mit Enhancementtransistoren.- 3.1.2.2. Weitere Invertertypen.- 3.1.3 MOS-Logikschaltungen.- 3.1.3.1 Statische MOS-Logik.- 3.1.3.2 Dynamische MOS-Logik.- 3.1.3.3 NMOS-und CMOS-Transfergates.- 3.1.4 Dekoder.- 3.1.5 Ein- und Ausgangspuffer.- 3.1.6 Flipflop als elementares Speicherelement.- 3.2 Bipolare Schaltungstechnik.- 3.2.1 Bipolartransistor.- 3.2.2 Bipolare Inverter.- 3.2.2.1 TTL-Inverter.- 3.2.2.2 ECL-Inverter.- 3.3 BICMOS-Schaltungstechnik.- 4 Schreib-Lese-Speicherschaltkreise (RAM).- 4.1 MOS-SRAM.- 4.1.1 Speicherzellen für MOS-SRAM.- 4.1.2 Speicherschaltkreis.- 4.1.2.1 Struktur und Funktion.- 4.1.2.2 Anforderungen an den Entwurf von SRAM-Schaltkreisen.- 4.1.2.3 Schaltungstechnische Lösungen für ausgewählte Baugruppen.- 4.1.2.4 Ausbeuteerhöhung durch Redundanz.- 4.1.2.5 Anwenderorientierte Besonderheiten bei speziellen SRAM.- 4.2 Bipolare SRAM.- 4.2.1 Speicherzellen.- 4.2.2 Speicherschaltkreis.- 4.3 Entwicklungsrichtungen bei SRAM-Schaltkreisen.- 4.3.1 Anwendung der MOS-SOI-Technik.- 4.3.2 BICMOS-Speicherschaltkreise.- 4.3.3 Galliumarsenid-Speicherschaltkreise.- 4.4 MOS-DRAM.- 4.4.1 Speicherzellen.- 4.4.2 Speicherschaltkreis mit Dreitransistorzellen.- 4.4.3 Speicherschaltkreis mit Eintransistorzellen.- 4.4.3.1 Struktur und Funktion.- 4.4.3.2 Schaltungstechnische Realisierung.- 4.4.3.3 Betriebsarten für schnelleren Datendurchsatz.- 4.4.3.4 Refresharten.- 4.5 Probleme des Entwurfs von Megabit-DRAMs.- 4.5.1 Übersicht über die Probleme der weiteren Erhöhung des Integrationsgrades.- 4.5.2 Speicherzellen für Megabit-DRAMs.- 4.5.3 Schaltungstechnische Besonderheiten.- 4.5.3.1 Blockstruktur.- 4.5.3.2 Bitleitungsschaltung.- 4.5.3.3 Reduzierte Betriebsspannung.- 4.5.3.4 Verwendung von BICMOS-Schaltungen.- 4.5.4 Begrenzung der Fehlerrate durch Soft-errors.- 4.5.4.1 Soft-errors durch ?-Strahlen.- 4.5.4.2 Mitintegrierte Fehlererkennungs- und -korrekturschaltungen.- 4.5.5 Integrierte Testschaltungen.- 5 Festwertspeicher-Schaltkreise (ROM).- 5.1 Allgemeines und Übersicht.- 5.2 Maskenprogrammierte ROM.- 5.2.1 Bipolare ROM.- 5.2.2 Maskenprogrammierte MOS-ROM.- 5.2.2.1 MOS-ROM mit Parallelstruktur.- 5.2.2.2 Verwendung der X-Zelle.- 5.2.2.3 MOS-ROM mit Serienstruktur.- 5.2.2.4 Multilevel-ROM.- 5.3 Einmalig elektrisch programmierbare ROM (PROM).- 5.3.1 Bipolare PROM.- 5.3.2 MOS-PROM.- 5.4 Elektrisch programmierbare und durch UV-Licht löschbare ROM (EPROM).- 5.4.1 Zellen für EPROMs.- 5.4.1.1 Zwei-Transistor-P-Kanal-Zelle.- 5.4.1.2 Eintransistor-Stapelgate-Zelle mit N-Kanal.- 5.4.2 EPROM-Schaltkreis.- 5.4.2.1 Blockschaltbild.- 5.4.2.2 Gehäuse und Anschlußbelegung.- 5.4.3 Schaltungstechnische Fragen.- 5.4.3.1 Leseschaltung.- 5.4.3.2 Redundanz.- 5.4.3.3 Schaltungen zur Testunterstützung.- 5.4.4 Applikative Gesichtspunkte.- 5.4.4.1 Betriebarten von EPROMs.- 5.4.4.2 Programmiergeräte und Programmieralgorithmen.- 5.5 Elektrisch programmierbare und löschbare ROM (EEPROM).- 5.5.1 MNOS-Speicher.- 5.5.2 Floatinggate-EEPROM.- 5.5.2.1 Zweitransistor-FLOTOX-Zelle.- 5.5.2.2 Eigenschaften der EEPROM-Schaltkreise.- 5.5.2.3 Flash-EEPROM.- 5.6 Nichtflüchtige RAM.- 6 Technische Realisierung von Speichern.- 6.1 Allgemeine Überlegungen.- 6.2 Stromversorgung des Speichers.- 6.2.1 Berechnung des Leistungsbedarfes.- 6.2.1.1 Berechnung der Verlu